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拉曼光譜法是研究化合物分子受光照射后所產(chǎn)生的散射，散射光與入射光能級差和化合物振動頻率、轉動頻率的關系的分析方法。與紅外光譜類似，拉曼光譜是一種振動光譜技術。所不同的是，前者與分子振動時偶極矩變化相關，而拉曼效應則是分子極化率改變的結果，被測量的是非彈性的散射輻。激光拉曼光譜儀發(fā)出一定波長的電磁波作用于被研究物質的分子，引起分子相應能級的躍遷，產(chǎn)生分子吸收光譜。引起分子電子能級躍遷的光譜稱電子吸收光譜，其波長位于紫外～可見光區(qū)，故稱紫外-可見光譜。電子能級躍遷的同時伴有振動能...

由于可以廣泛用于光學成像，空間光通信、定位導航等領域，作為現(xiàn)代光電設備中關鍵組件的光電探測器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測器主要基于Si光電二極管，是因為它的低成本和與高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280nm以下的波長下工作的深紫外光電探測器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測，機密空間通信，深紫外線成像機方面具有潛在應用的研究熱點。能隙為4.7-4.9eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性以及在深紫...

近年來，柔性表面增強拉曼(SERS)基底受到極大關注，尤其面對表面污染殘留物的檢測，可直接擦拭檢測，且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等，制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面，缺乏必要的保護，擦拭檢測后貴金屬粒子易受到損害，僅一次性使用，難于重復使用，難于滿足一些特殊的、惡劣環(huán)境（如抗超聲破壞、強酸堿介質、高溫低溫環(huán)境）的應用需求。聚二甲基硅氧烷(PDMS)具有無毒、化學穩(wěn)定、柔性、韌性、可拉伸、疏水性等特點，不僅有...

Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶，本質上適合日盲光電探測器。Ga2O3有五種同構異形體，單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩(wěn)定性已經(jīng)有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對稱的六面體結構，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結合起來，形成致力于光電應用的III-氧化物/III-氮化物異質結器件結構，因此而廣受科研工作者關注。在本文中，中國科學技術大學龍世兵課題組通過氯化物輔助MOCVD，成功地生長出了在c-平面...

引言PdSe2是一種具有*五邊形褶皺結構的二維材料，具備高遷移率、空氣穩(wěn)定和可調帶隙等優(yōu)良性能，之前的研究大多數(shù)都是基于光導、光門控和光伏效應的探測機理。因此依賴于外加偏壓或者內接電場來分離電子和空穴，高接觸電阻、低響應度和響應慢等劣勢阻礙了PdSe2的進一步應用。近期，安徽大學李亮課題組通過化學氣相沉積技術生長了高度各向異性的二維PdSe2晶體，基于光電熱效應制備了基于零偏壓驅動的二維偏振光電探測器，可實現(xiàn)在零偏壓下探測超寬范圍波長甚至是任意波長，該探測器具有超寬范圍響應、...

介紹阻礙光伏器件性能提升的一個重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對于硅而言，大于1100nm的太陽光不能被吸收，而這部分占據(jù)太陽光光譜能量的20%；對于帶隙更大的鈣鈦礦而言，不能被利用的太陽光顯著增多。因此，若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實現(xiàn)高效轉換，將可在現(xiàn)有基礎上顯著提升對太陽能的利用率。為此，窄帶隙紅外光伏材料被視為實現(xiàn)低能紅外光子利用的關鍵所在。當前，III-V族化合物和Ge是窄帶隙光伏材料的典型代表。但是這類半導體材料制備工藝復雜、成本較高，...

與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調光檢測能力的非晶Ga2O3日盲場效應光電晶體管，并對其光電性能進行了全面調研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場效應光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場效應光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測特性，包括4.1×103AW-1的超高光敏性，2.5×1013Jones的高探測率...

日盲光電探測器對波長在220-280nm范圍內的光敏感，在軍事和商業(yè)領域都有著廣泛的應用，例如光學追蹤、光通信和成像。得益于*的材料和電學特性，包括良好的熱學和化學穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻照性能以及直接對應日盲區(qū)域的光探測波長，寬禁帶半導體材料具備更顯著的優(yōu)勢。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關材料的優(yōu)異的抗輻照特性、良好的熱穩(wěn)定性以及4.7-5.3eV直接對應于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經(jīng)引起了廣泛的關注。目前，幾乎所有關于Ga2O3PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，...